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团队名称

新器件研究室

团队介绍

1.      科研方向

(1)   新型功率器件

(2)   智能功率IC

(3)   集成电路设计

2.      代表性成果

(1) 具有代表性的重要研究成果或进展

(a) 复合缓冲层结构,即超结(Super-Junction, CoolMOSTM

陈星弼院士提出的复合缓冲层结构使得硅器件耐压与导通电阻的关系由Ron

VB2.5 减小为RonVB1.32 ,该结构被业界称赞为功率半导体发展新的里程碑。

(b) 优化横向变掺杂理论

陈院士提出的优化横向变掺杂理论,总结了结边缘终端技术的普遍物理机理,给出了指导设计最优化表面横向耐压区的数学模型,提出了兼容普通工艺的实施方案,使得器件表面耐压能超过理想值的90%,对器件性价比的提高有显著的指导意义。

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(2) 代表性的高水平论文

[1] Xingbi Chen*, Mingmin Huang. A vertical power MOSFET with an interdigitated drift region using high-k insulator[J]. IEEE TED, 2012, 59(9): 2430-2437.

[2] Zhi Lin; Haimeng Huang; Xingbi Chen*. An Improved Superjunction Structure With Variation Vertical Doping Profile[J]. IEEE TED, 2015, 62(1): 228 – 231

[3] Wenfang Du; Xingbi Chen*. Design of a Double-Gate Power LDMOS With Improved SOA by Complementary Majority Carrier Conduction Paths[J]. IEEE TPE, 2016, 31(7):5133 – 5140

[4] Bo Yi; Xingbi Chen*. A 300-V Ultra-Low-Specific On-Resistance High-Side p-LDMOS With Auto-Biased n-LDMOS for SPIC[J]. IEEE TPE, 2017, 32(1): 551 – 560

[5] Ping Li; Junji Cheng; Xingbi Chen*. A TIGBT With Floating n-Well Region for High dV/dt Controllability and Low EMI Noise[J]. IEEE EDL, 2018, 39(4): 560 – 563

(3) 所获的重要奖项

2015年陈星弼院士成为荣获IEEE ISPSD 先驱奖的首位华人科学家。ISPSD是功率器件领域的顶级国际高水平学术会议。2018年,ISPSD根据全球功率器件领域的科学家对该领域的贡献,创立了该会最高荣誉---名人堂,陈星弼院士因对超结功率半导体器件的卓越贡献,成为全球32位入选名人堂中的唯一华人科学家。

 

 

 

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团队成员