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方健

邮箱:fjuestc@uestc.edu.cn
电话:83207691
系别:集成电路与系统系
职称:教授
教师个人主页:
教师简介
教育背景
         2000.09-2005.05  bob体育最新版下载地址,微电子与固体电子专业,博士学位
         1991.09-1994.03  bob体育最新版下载地址,微电子与固体电子专业,硕士学位
         1987.09-1991.06  四川大学,物理专业,学士学位
工作履历
         2011.06-   今        微电子与固体电子学院   ,教授
         2001.06-2011.06  微电子与固体电子学院  ,副教授
         1994.03-2001.06  微电子与固体电子学院  ,讲师
 
荣誉奖励
         2010年,国家科技进步二等奖          
         2009年,四川省科技进步一等奖
         2000年,国防科技二等奖
         2000年,四川省在工作有特殊贡献的硕博士毕业生称号
         先后5次获得校科技成果奖,校教学成果奖。
科学研究

出版刊物

1 .Electric field distribution in charge imbalance super junction, Acta Physica Sinica,

2. On-state breakdown model for high voltage RESURF LDMOS, Chinese Journal of Semiconductor

3.  Realization of a novel 1200 V VLD double RESURF LDMOS with n-bury layer, Chinese Journal  of  Semiconductors

4.  An integrated SOI high voltage device with a ring drain,IEEE ICCCAS

5. Dynamic-state model of NPT-IGBTs with localized lifetime control ,Chinese Journal of Semiconductors

6. High voltage LDMOS switch circuit with a D/A driver in SOI material,Chinese Journal of Semiconductors

7. A WKB solution of excess carriers in conductivity modulation base with non-uniform lifetime,  Acta Physica Sinica

8. Static-state model of NPT-IGBTs with localized lifetime control,Chinese Journal of Semiconductors

9 Numerical and experimental study of localized lifetime control LIGBT by high dose He ion implantation,Chinese Journal of Semiconductors

10. Study for safe operating area of high voltage LDMOS,IEEE Proceedings of 2004 ICBEPRL,

11. A High Speed SOI LIGBT with Electronic Barrier Modulation,IEEE ISPSD

12. A charge pump with reduced current variation and mismatch in low-voltage low-power PLLs,  2013 IEEE ISPSD

13. High-voltage super-junction lateral double diffused metal oxide semiconductor with a partial lightly  doped pillar, Chin. Phys. B.

14. An integrated SOI high voltage device with a ring drain, IEEE ICCCAS


主讲课程
研究方向
高压功率集成电路
研究可集成高压功率器件新结构,先进高压BCD工艺,高低压隔离技术,高压电路拓扑结构研究等。
 
高密度功率集成电路
研究可集成高功率密度器件,先进高功率密度BCD工艺,高功率密度电路拓扑结构及控制理论研究等。
 
新型高压功率器件
研究包含IGBT,Cool在内的新型功率器件, 研究高速电导调制器件结构及机理,器件可靠性研究等。
       
 
研究条件
 
       所属的PITL研究团队拥有TCAD设计平台(科803室),拥有Cadence, Medici,Silvaco,ISE等
器件、工艺、电路仿真软件。
       建有功集成电路测试分析实验室(科903室),拥有功率器件及电路测试分析设备50余套台,总价
值1500余万元。可完成器件及电路的稳态和瞬态电学参数测试与分析,可靠性参数测试与分析,芯片
级测试及芯片分析等工作。

   唐新伟,硕士研究生,现在矽利杰工作,已升任主管;
   周贤达,硕士研究生,香港科技大学博士毕业,外企工作;
   贾瑶瑶,硕士研究生,在德国攻读博士学位;
   吴琼乐,硕士研究生,士兰微电子股份有限公司;
   杨毓钧,硕士研究生, Intel北京分部;
   薛卫东,硕士研究生,MPS上海总部,主管。