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张波

邮箱:zhangbo@uestc.edu.cn
电话:028-83204101
系别:微电子与固体电子系
职称:教授
教师个人主页:http://faculty.uestc.edu.cn/zhangbo2
教师简介
教育背景
         1985.09-1988.04  bob体育最新版下载地址,半导体专业,硕士学位
         1981.09-1985.07  北京理工大学,半导体专业,学士学位
工作履历
         1988.05-1996.05  bob体育最新版下载地址微电子研究所,任助教、助研、副教授
         1996.05-1999.11  美国Virginia理工大学,任Visiting Professor
         1999.11-2001.11  bob体育最新版下载地址微电子科学与工程系,任副教授
         2000.07-2001.11  bob体育最新版下载地址微电子科学与工程系,教授、系主任助理
         2001.11-2015.12  bob体育最新版下载地址微电子与固体电子学院副院长,教授
         2014.07-现在    bob体育最新版下载地址集成电路研究中心主任,教授

学术兼职
      2004.07-      任信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划(纲要)研究与编制工作集成电路技术组组员
      2008.05-2010.05 任国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家
      2008.08-2013.08 任国家“核高基”科技重大专项(01专项)总体组专家
      2009.10-现在   任国家“集成电路制造”科技重大专项(02专项)总体组专家        
      2006.01-IEEE Chengdu Section EXCOM委员
      2010.08-2015.08 任IEEE ISPSD TPC成员
      2014.04-2015.12 任IEEE EDS Power Devices and ICs Committee成员
      2015.10-现在 任IEEE Transactions on Electron Devices编辑
      同时兼任多个国家重点实验室、国防重点实验室学术委员会委员/副主任、多个行业协会、学会、联盟理事/常务理会。
荣誉奖励
      1998年,国家科技进步三等奖
      2010年,国家科技进步二等奖
      2014年,国家教学成果二等奖
      2018年,国家教学成果二等奖
      2002年,教育部高校青年教师奖
      2004年,成都市有突出贡献优秀专家
      2005年,第十三届成都十大杰出青年
      2011年,获国务院政府特殊津贴
      2011年,四川省第十批有突出贡献优秀专家
      2013年,四川省第十批学术和技术带头人
      2013年,国家百千万人才工程有突出贡献中青年专家
      2018年,成都市第十批有突出贡献优秀专家
      同时获得十余项省部级省部级自然科学奖、发明奖和科技进步奖。
科学研究

从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,多次担任国际会议功率半导体分会主席,2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议(ISPSD)技术委员会(TPC)成员(全球功率半导体最高级别专业会议,张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者),2015年ISPSD大会副主席。目前带领bob体育最新版下载地址功率集成技术实验室(PITEL)主攻功率半导体技术研究。

bob体育最新版下载地址功率集成技术实验室(PITEL)是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“bob体育最新版下载地址集成电路研究中心”的重要组成部分。现有11名教授/研究员、9名副教授,2名讲师/助理研究员,198名在读全日制硕士研究生和30名博士研究生,被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流,致力于功率半导体科学和技术研究,研究内容涵盖分立器件(从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS,从硅基到SiC和GaN)、可集成功率半导体器件(含硅基、SOI基和GaN基)和功率集成电路(含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等)。 近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文,论文数位列全球前列以后,2015年在TED上发表8篇文章,论文数再次列全球前三(在固态功率与高压器件领域居全球第一)。本领域国际最顶级学术会议IEEE ISPSD收录论文数自2006年实现零的突破后,从2011年起均居全球研究团队前列,在ISPSD 2013、2017上论文录取数居全球研究团队第一。实验室在功率半导体技术领域已申请中国发明专利800余项,目前已获中、美发明专利授权400余项,在IGBT等多个领域授权数居国内第一。 实验室牵头获得2010年国家科技进步二等奖、2016年四川省科学技术进步一等奖、2009年四川省科学技术进步一等奖、2014年教育部自然科学二等奖、2015年首届四川电子科学技术一等奖;与中国电科24所合作获得2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖;与上海华虹NEC合作获得2011年中国电子学会电子信息科学技术二等奖。 实验室牵头或参研十余项国家科技重大专项;在研国家自然科学基金项目16项,2017年新启动7项。与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目;面向市场研发出100余种产品;为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结(SJ)MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台,部分产品打破国外垄断、实现批量生产,已销售数亿只。

1. 部分代表性论文

[1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices, v 61, n 2, p 525-532, February 2014

[2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 9, p 2933-2939, September 1, 2015

[3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016, 63(9): 3804-3807

[4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016, VOL. 31, NO. 6

[5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics, v 26, n 2, p 638-646, 2011.

[6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, v 59, n 4, p 677-84, April 2012

[7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol.21, No.9, pp. 1747 - 1751, Sept. 2013.

[8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(2):165-168.

[9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters, 2015, 37(2):1-1.

[10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters,v 37,n 10,October 2016

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2. 出版刊物

(1) Power Semiconductor Devices and Smart Power IC,自编讲义

(2) 集成电路电源完整性分析与管理,译著,电子工业出版社,2013年

(3) 功率半导体器件电场优化技术,专著,bob体育最新版下载地址出版社,2016年



主讲课程
本科生:微电子技术前沿
研究生:功率半导体器件与IC