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李竞春

邮箱:achun@uestc.edu.cn
电话:028-83202552
系别:
职称:
教师个人主页:
教师简介
    1985年在四川大学物理系获理学学士学位;2002在bob体育最新版下载地址微电子学与固体电子学专业获得硕士学位;1985年至今在bob体育最新版下载地址微电子与固体电子学院从事教学和科研工作。2005年曾赴澳大利亚墨尔本维多利亚大学进行短期学习进修;主讲本科专业基础课程《固体物理》和《量子力学与统计物理 》。
   先后主持或主研参与了国家973项目子专题、部级共性支撑项目、国家重点实验室项目及多项横向合作项目等共10余项科研任务。
科学研究

     主要研究领域为应变Si材料生长、异质结理论与建模仿真、应变Si器件新结构设计、关键工艺流片、测试表征分析和工程化应用探索等领域的研究。


主要项目:

[1] 深亚微米MOS器件物理模型探索(科工委基金)

[2]Si/SiGe PMOS器件及可靠性研究(国家重点实验室基金)

[3] SiGe HCMOS器件及电路的关键技术研究(军事电子预研支撑技术项目)

[4]应变BiCMOS集成器件应力引入机理和方法(973)

[5]SiN薄膜应力引入Si CMOS沟道的机理与方法 (重点实验室基金)

主要论文:

[1]Li Jingchun, Tan Jing, Yang Mohua, Zhang Jing, Xu Wanjing, ” StrainedSi PMOSFET on very thin SiGe virtual s

ubstrate”, Chinese Journal of Semiconductors ,2005, 26(6):288~293

[2]Li Jingchun, Tan Jing, Fabrication Strained-Si channel MOSFETs on Ultra thin virtual SiGe substrates,

JOURNAL OF ELECTRONICS, 2006, 23(2), 266~268StrainedSi PMOSFET on very thin SiGe virtual substrate”,

Chinese Journal of Semiconductors ,2005, 26(6):288~293

[3]李竞春,谭静,梅丁蕾,张静,徐婉静,“采用低温Si技术的Si/SiGe异质结P-MOSFET”,固体电子学研究与进展,

2006,26(2):162~165

[4]J李竞春,韩春,周谦,张静,徐婉静,“240nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET”,bob体育最新版下载地址学报,

2007, 36(1):126~128Photocatalytic Property of Surface Modified TiO2,Advanced Materials Research,2012,

399-401:1481-1486

[5] 李竞春,杨洪东,杨阳,局部双轴应变SiGe材料的生长与表征,浙江大学学报,2011,45(6):1048~1051

[6] Li Jingchun, Mei Dinglei, Yang Mo-Hua,Strain Si Channel Heterojuntion pMOSFET Using 400℃ LT-

Si Technology,半导体学报,2004,25(10):1221~1225

[7] Gate oxide prepared by nanometer silicon wet oxidation at low temperature

for Si/SiGe PMOSFET application”, Semiconductor Science and Technology, 2001, Vol.16, Aug.

[8] Li Jingchun,Tan Jing, Xu Wanjing, Zhang Jing, Tan Kaizhdu, Yang Mohua, “Si/SiGe PMOSFET USING P+ IMPL

ANTATION TECHNOLOGY”,JOURNAL OF ELECTRONICS,2007 24 (1):100~103

申请专利:

李竞春,于奇,杨谟华. 新型环栅垂直 SiGeC MOS器件,2007.5,国家发明专利,ZL03135326.6

王向展,于奇,杨洪东,李竞春,应贤炜. 一种应力放大的CMOS晶体管结构. 申请号:ZL201010539413.9 (已授权)

于奇,王向展,宁宁,李竞春,杨洪东,应贤炜,周炜捷,蒋宾,王勇. 一种利用应力集中效应增强沟道应力的MOS晶体

管,国际发明专利,申请号:PCT/CN2011/073177 (已递交美国专利商标局USPTO,申请号13/512,415)



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